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FDMF8705型 驅動加場效應管多芯片模塊

時間:2019-10-11, 來源:互聯網, 文章類別:元器件知識庫

好處 :充分優化系統效率。更高的效率水平與傳統的離散方法相比是可以實現的組件。與離散解決方案相比,最多節省50%的PCB空間。操作頻率更高。簡化系統設計和電路板布局。縮短時間組件選擇和優化。

特征 :12V典型輸入電壓輸出電流高達18A500kHz開關頻率內部自適應門驅動器集成自舉二極管峰值效率>85%欠壓閉鎖失相停機輸出禁用薄型SMD封裝符合RoHS

一般說明 :FDMF8705是一款經過全面優化的集成12V Driver Plus大電流同步mosfet功率級解決方案buck dc-dc應用。該設備集成了一個驅動芯片和兩個功率mosfet,8毫米x 8毫米,56針,節省空間POWER88™組件。飛兆半導體集成電路該方法利用關于驅動場效應晶體管動態性能,系統電感和電阻的整體解。包裹寄生菌和與之相關的問題布局傳統的離散解大大減少。這個綜合方法可顯著節省電路板空間,因此最大化的足跡功率密度。這個解決方案是基于Intel™DRMOS規范。

應用 :桌面和服務器非V核Buck轉換器。游戲機和高端的CPU/GPU動力系統桌面系統。大電流DC-DC負載點(POL)轉換器網絡和電信微處理器電壓調節器小型電壓調節器模塊

操作描述電路描述 :是一個驅動器加fet模塊優化同步巴克變換拓撲單一PWM輸入信號是所有需要預先驅動高側和The low-side mosfets.每一部分都能驅動速度Up to 500khz.低側驅動器低側驅動器(LDRV)設計成驅動地面參考低RDS()n-channel mosfet比亞斯是VCIN和CGND之間的內部連接。當驅動程序被設置,驅動程序的輸出是180度的相位輸出。PWM輸入當驅動程序失靈時是低的。高側驅動器高側驅動器(HDRV)設計成驅動浮動。N-channel mosfet高側驅動器的偏壓是由一個升降機供應電路開發,由內置二極管和外置電容器杜林啟動,VSWH支持PGND,允許CBoot充電到通過內部二極管當PWM輸入開始高,HDRV將開始填充高側的大門在這個轉變過程中,負荷從CBOOT和運送到Q1'如Q1轉身,VSWH升高,強行推進葡萄酒+vc+boot,which provides足夠增強完成開關循環,Q1被HDRV切換到VSWH。那是當VSWH倒下到PGND時充電到VCIN。高清晰度輸出在PWM輸入階段當驅動程序失靈時高側門是低的。自適應門驅動電路驅動程序裝飾的高級設計最小死亡時間射門傳導電流感覺到門驅動的摩擦和調整,自適應,以確保他們不同時駕駛。Refer to Figure 24 and 25For the relevant timing waveforms.在低到高轉換期間防止過多自適應電路監控電壓在LDRV PIN當PWM信號高時,Q2會在某些傳播延遲之后開始轉換有一次,LDRV PIN在下游~ 1.2V,Q1開始自適應延遲TPDH(HDRV)在高至低轉變過程中的預處理(Q1 Off to the High-to-Low Transition)自適應電路監視器松當PWM信號低時,Q1會開始退出在某些繁殖延遲之后一次下跌~ 2.2v,Q2開始轉向自適應延遲TPDH(《LDRV》Additionally,vgs of Q1 is monitored.當VGS(Q1)是下游放電~ 1.2v,一個二次自適應延遲被啟動,在TPDH(LDRV)之后,什么結果在Q2 being drivenOf SW State.這一功能實現了保證充電每一個開關循環,特別是在哪兒功率變換器是沉電流,而開關電壓不降落在2.2V自適應閾值下二次延遲Is longer than TPDH(LDRV)

應用程序信息供電電容器選擇 :對于fdmf8705的電源輸入(vcin),本地陶瓷建議使用旁路電容器來降低噪音和提供峰值電流。使用至少1μF、X7R或X5R電容器。使電容器靠近FDMF8705 vcincgnd管腳。自舉電路自舉電路使用電荷存儲電容器(cboot)以及內部二極管,如圖所示。選擇這些組件應該在高側mosfet之后完成已經被選中。確定所需電容使用以下公式:其中qg是高邊mosfet的總柵電荷,而∏vboot是高壓側允許的電壓降mosfet驅動器。例如,內部高壓側的QGmosfet約為[email protected]。允許的下垂約300毫伏,所需的自舉電容大于100毫伏。好的必須使用優質陶瓷電容器。可以估計平均二極管正向電流if(avg)其中fsw是控制器的開關頻率。高峰應檢查內部二極管的浪涌電流額定值在電路中,因為這取決于等效阻抗整個引導電路,包括pcb線路。為了需要更高中頻的應用,可以使用外部二極管與內部二極管并聯。模塊功率損耗測量和計算模塊失電測試方法。權力損失計算如下:印刷電路板布局指南圖。顯示了FDMF8705和關鍵部分。所有的大電流路徑,如vin,vswh,VOUT和GND銅,應短而寬,以便更好地穩定的電流、散熱和系統性能。以下是pcb設計者應該遵循的準則考慮:1.輸入旁路電容器應接近車輛識別號和接地引腳有助于降低輸入電流紋波分量的FDMF8705由開關操作引起的。2.VSWH銅的最小面積降低開關噪聲發射。VSWH銅痕跡應也要足夠寬,以適應大電流。其他信號路由應考慮諸如pwm輸入和引導信號的路徑小心避免噪聲從vswh銅區拾取。3.輸出電感位置應盡可能靠近FDMF8705,用于降低由于銅痕跡造成的功率損耗。4.將陶瓷旁路電容器和啟動電容器放置在靠近的位置連接至FDMF8705的VCIN和引導銷,以穩定供電權力。還應考慮布線寬度和長度。5.在每個銅區域上使用多個過孔將每個過孔互連頂部、內部和底部有助于平滑電流和熱量傳導。過孔應相對較大且合理電感。

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